靜態(tài)Static (DC) 測(cè)試: 客戶的設(shè)計(jì)目標(biāo)是優(yōu)化開關(guān)狀態(tài)下的電氣性能。泰克的SMU儀器、系統(tǒng)或參數(shù)曲線跟蹤器用于執(zhí)行諸如此類的關(guān)鍵測(cè)試.

與硅相比，測(cè)試WBG功率器件在更高的功率級(jí)別下需要更好的分辨率和更快的速度。測(cè)試可以分為兩大類

國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)狀 • 

?以SiC為代表的第3代半導(dǎo)體因其*的性能在裝備制造、5G、智能 電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)收到了廣泛的熱捧。 

• ?當(dāng)前，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體方面給予了很大的政策扶持，半導(dǎo)體技術(shù)和 歐美日韓等國(guó)家的差距在縮小但仍然較大。 

• ?以SiC為代表的第3代半導(dǎo)體發(fā)展迅速，與Si器件相比性能顯著，但缺點(diǎn) 亦為明顯，成本和工藝等問題仍為目前大規(guī)模應(yīng)用的挑戰(zhàn)。 

• ?當(dāng)前是進(jìn)入第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最佳窗口期，也是中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)與國(guó)外 追趕甚至超越歐美日韓等國(guó)家的寶貴時(shí)期。

• ?國(guó)際合作氛圍融洽，市場(chǎng)的多元性和需求梯度驅(qū)動(dòng)第3代半導(dǎo)體發(fā)展明顯， 國(guó)內(nèi)外企業(yè)、機(jī)構(gòu)積極布局。